| 发明名称 | 热处理装置、热处理系统及热处理装置的温度控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种热处理装置，它不必使处理容器内对大气开放、可迅速求出温度监测用半导体硅片的热处理时的温度及其温度分布。在对被处理体(W)进行规定的热处理的热处理装置中，包括：可排气的处理容器(30)；放置被处理体的载放台(32)；向处理容器内供给气体的气体供给部件(36)；加热被处理体的加热部件(34)；根据规定的控制对象参数对加热部件的温度进行控制的温度控制部件(35)；根据以规定的浓度把第2导电型杂质注入到第1导电型半导体硅片的表面上的温度监测用半导体硅片(Wm)的薄膜电阻，对控制对象参数进行补偿的加工条件补偿部件(44)。 | ||
| 申请公布号 | CN100466201C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN03142786.3 | 申请日期 | 2003.05.07 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 村上诚志;堀込正弘;河西繁 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种对被处理体进行规定热处理的热处理装置，其特征为，包括：可排气的处理容器；放置被处理体的载放台；向所述处理容器内供给气体的气体供给部件；加热所述被处理体的加热部件；根据规定的参数对所述加热部件的温度进行控制的温度控制部件；以及根据温度监测用半导体硅片的薄膜电阻调整所述参数的加工条件调整部件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||