| 发明名称 | 驱动相变存储设备的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于驱动包括相变电阻器的相变存储设备的方法。该方法包括：向该相变电阻器施加触发电压第一写时间，以预热该相变电阻器；向该相变电阻器施加第一写电压第二写时间，以控制该相变电阻器的第一状态；以及向该相变电阻器施加第二写电压第三写时间，以控制该相变电阻器的第二状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101354912A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810127056.8 | 申请日期 | 2008.06.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 姜熙福;洪锡敬 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 1、一种用于驱动包括相变电阻器的相变存储设备的方法，该方法包括：向该相变电阻器施加触发电压第一写时间，以预热该相变电阻器；向该相变电阻器施加第一写电压第二写时间，以将该相变电阻器控制在第一状态；以及向该相变电阻器施加第二写电压第三写时间，以将该相变电阻器控制在第二状态。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||