具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法

摘要

本发明涉及具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法。本发明描述了一种具有铜布线的半导体器件以及形成所述器件以防止相邻上层布线之间的发生架桥现象方法。该方法可以包括以下步骤：在形成其中形成有下层布线的衬底上方的堆叠结构中形成覆盖层和金属间介电层，在金属间介电层上形成限定上层金属布线区域的沟道，在沟道内壁上形成隔离层。然后在使用光刻工艺暴露的第一沟道和用于校准的隔离层下方可以形成通孔。在除去隔离层后，在沟道和通孔内壁上可以形成阻挡金属膜，在沟道和通孔中间隙填充铜金属布线膜，并将半导体器件的表面抛光。通过本发明的方法可以提高半导体器件的产量，可以实施稳定的工艺，并可以改善半导体器件的可靠性。

主权项

1.一种形成半导体器件的铜金属布线的方法，所述方法包括下以步骤：在其中形成有下层布线的衬底上方的堆叠结构中形成覆盖层和金属间介电层；通过使用第一光刻胶图案的蚀刻在所述金属间介电层上形成限定上层金属布线区域的沟道；在所述沟道的内部侧壁上形成隔离层；形成用于暴露所述沟道的第一沟道而覆盖所述沟道的第二沟道的第二光刻胶图案，并实施蚀刻以除去由所述隔离层暴露的所述金属间介电层，从而在所暴露的第一沟道下方形成通孔；除去所述隔离层；在所述沟道和所述通孔的内壁上形成阻挡金属膜；以及在所述沟道和所述通孔内间隙填充铜金属布线膜并将所述半导体器件的表面抛光。