| 发明名称 | 沸石－碳掺杂氧化物复合低K电介质 | ||
| 摘要 | 在此描述了形成沸石-碳掺杂氧化物(CDO)复合电介质材料的方法。沸石颗粒可以被分散在溶剂中。然后，沸石溶剂溶液被沉积在基础层(例如晶片或其他介电层)上。随后，至少一些溶剂被除去以形成沸石膜。然后，CDO可以被沉积在沸石膜中以形成沸石-CDO复合膜/电介质。之后，所述的沸石-CDO复合膜/电介质被煅烧以形成固相沸石-CDO复合电介质。 | ||
| 申请公布号 | CN100456437C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200480033203.5 | 申请日期 | 2004.11.10 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 邓海;H－C·里欧 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人 | 严慎 |
| 主权项 | 1.一种用于形成沸石-碳掺杂氧化物复合膜的方法，包括：在基础层上沉积沸石-溶剂溶液；从所述的沸石-溶剂溶液中除去至少一些所述的溶剂以形成沸石膜；以及在所述的沸石膜中沉积碳掺杂氧化物以形成沸石-碳掺杂氧化物复合膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||