| 发明名称 | 电致发光功能膜和电致发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电致发光元件(1)，在形成了下部电极(4)的基板(2)上设置的厚膜绝缘体层(16)与上部电极(12)之间，设置了由Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:Eu构成的电致发光功能层(6、10)及其间形成的由MgGa<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>构成的发光体层(8)。电致发光功能层(6、10)表现作为绝缘体层以及电子注入层的两种功能，由此，能够达到电致发光元件(1)的低电压驱动及高发光亮度，同时能够简化电致发光元件(1)的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100456903C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200480005320.0 | 申请日期 | 2004.02.27 |
| 申请人 | 伊菲雷知识产权公司 | 发明人 | 高桥圣树;矢野义彦;大池智之;片冈成树 |
| 分类号 | H05B33/14(2006.01);H05B33/22(2006.01);C09K11/00(2006.01);C09K11/62(2006.01);C09K11/64(2006.01);C09K11/56(2006.01) | 主分类号 | H05B33/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种电致发光功能膜，在具备多个电极层、和设置在该电极层之间且在由第一金属氧化物及金属硫化物中的至少1种物质构成的基体材料中掺杂了发光中心的发光体层的电致发光元件中使用，其特征在于：配置在所述电极层之间，设置在所述发光体层的至少一侧，并且含有第二金属氧化物作为主要成分，所述第二金属氧化物是镓氧化物。 | ||
| 地址 | 加拿大艾伯塔省 | ||