| 发明名称 | 一种等离子增强的感应蒸发硅薄膜沉积方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子增强的感应蒸发硅薄膜沉积方法，是在真空环境下，感应加热高纯硅原料，产生的硅蒸汽经氢等离子体离化，并沉积于衬底，在所述感应加热装置和衬底之间，设置有电感耦合或者电容耦合等离子体发生装置。本发明工艺方法简单、操作方便、生产成本低、可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量硅薄膜的快速沉积、缺陷钝化、掺杂和微晶化，配以相应的衬底自动更换或者柔性衬底卷绕设备，即可实现连续化沉积，实现工业化生产，可替代现有硅薄膜沉积工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101338415A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810032168.5 | 申请日期 | 2008.08.27 |
| 申请人 | 湖南大学 | 发明人 | 万青;易宗凤 |
| 分类号 | C23C16/46(2006.01);C23C16/24(2006.01) | 主分类号 | C23C16/46(2006.01) |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 颜勇 |
| 主权项 | 1.一种等离子增强的感应蒸发硅薄膜沉积方法，其特征在于：在真空环境下，感应加热高纯硅原料，产生的硅蒸汽经氢等离子体离化，并沉积于衬底。 | ||
| 地址 | 410006湖南省长沙市河西麓山南路2号 | ||