超高电容值集成电容器结构

摘要

本发明涉及一种包括至少一个沟槽电容器(302)的电子器件(300)，所述电容器也可以采用倒置结构的形式，即柱电容器。在沟槽电容器里或柱电容器上有由至少两个电介质层(312、316)和至少两个导电层(314、318)形成的交替的层序列(308)，其中至少两个电介质层分别使至少两个导电层彼此隔离并且与衬底隔离。因此，本发明的电子器件为导电层彼此大量结合或者当使用多个沟槽时不同沟槽电容器导电层之间结合提供了灵活的沟槽电容器生产平台。要求了诸如电荷泵电路或DC－DC电压转换器之类的芯片上的应用，所述应用将受益从由本发明的电子器件获得的超高电容密度和高击穿电压。

主权项

1.一种电子器件(100、300、400、500、600、700、800)，所述电子器件包括在衬底第一侧上的、在衬底(104、504、604)中的至少一个沟槽电容器(102、302、502、602)，所述沟槽电容器包括：至少两个电介质层(112、116，312、316，512、516，612、616、662)和至少两个导电层(110、114、118，314、318，514、518，614、618、664)的交替的层序列(108、308、508、608)，通过所述至少两个电介质层的相应电介质层分别使得所述至少两个导电层彼此电隔离并且与衬底(104、504、604)电隔离；以及在所述衬底第一侧上的一组内部接触焊盘(132、134，332、334、340)，其中每个内部接触焊盘分别与导电层(110、114、118，314、318，514、518，614、618、664)的相应一个导电层或衬底(104、504、604)相连。