| 发明名称 | 一种测定深沟槽失效深度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种测定深沟槽失效深度的方法，包括步骤：准备试样且获得失效的深沟槽在样品中的位置；在聚焦离子束样品台转动到预定角度时，在深沟槽的一侧预定距离处采用垂直于样品表面的离子束切割出凹坑；转动聚焦离子束样品台，采用与样品表面倾斜成预定角度的离子束切割包括失效深沟槽在内的样品，并且采用垂直于样品表面的电子束观看失效深沟槽的顶部图像。本发明可以节省对于深沟槽失效深度的分析时间且提高分析的准确度和成功率。 | ||
| 申请公布号 | CN100449722C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200510111271.5 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 胡佑周 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种测定深沟槽失效深度的方法，其特征在于，包括步骤：1)准备样品且获得失效的深沟槽在样品中的位置；2)在聚焦离子束样品台转动到预定角度时，在深沟槽的一侧预定距离处采用垂直于样品表面的离子束切割出凹坑；3)转动聚焦离子束样品台，采用与样品表面倾斜成预定角度的离子束切割包括失效深沟槽在内的样品，并且采用垂直于样品表面的电子束观看失效深沟槽的顶部图像。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||