| 发明名称 | 半导体光学元件 | ||
| 摘要 | 一种光接收元件(1)，包括：半导体衬底(101)；第一台面(11)，具有形成在所述半导体衬底(101)之上的有源区和形成在所述有源区之上的第一电极(p侧电极(111))；第二台面(12)，设置在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层和形成在所述半导体层之上的第二电极(n侧电极(121))；以及第三台面(13)，形成在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层。所述第三台面(13)布置为包围所述第一台面(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN101341600A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200680044080.4 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 渡边泽木;芝和宏;中田武志 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/183(2006.01) | 主分类号 | H01L31/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种半导体光学元件，包括：半导体衬底；第一台面，设置在所述半导体衬底之上，具有有源区和设置在所述有源区之上的第一电极；第二台面，设置在所述半导体衬底之上，具有半导体层和设置在所述半导体层之上的第二电极；以及第三台面，设置在所述半导体衬底之上，具有半导体层，其中，所述第三台面布置为包围所述第一台面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||