发明名称 |
磁致电阻效应元件、磁存储器以及磁头 |
摘要 |
提供能获得功耗小、热稳定性好的磁致电阻效应元件、磁存储器以及磁头。该磁致电阻效应元件具有:隧道阻挡层;夹着该隧道阻挡层设置在一侧的成为磁化固定层的第一强磁性层;以及磁化自由层,该磁化自由层有:夹着隧道阻挡层设置在另一侧的第二强磁性层;在第二强磁性层的与隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层;以及设置在第二强磁性层和第三强磁性层之间、将第三强磁性层的磁化的反转传递给第二强磁性层的中间层。 |
申请公布号 |
CN100449814C |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN200310118331.7 |
申请日期 |
2003.11.21 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
齐藤好昭;西山胜哉;高桥茂树 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01);G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01);G11C11/15(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种磁存储器,其特征在于包括:第一布线;与上述第一布线交叉的第二布线;以及磁致电阻效应元件,该磁致电阻效应元件设置在上述第一布线和第二布线的交叉区域上,且具有:隧道阻挡层;设置在夹着该隧道阻挡层的一侧的作为磁化固定层的第一强磁性层;以及磁化自由层,该磁化自由层具有设置在夹着上述隧道阻挡层的另一侧的第二强磁性层,在上述第二强磁性层的与上述隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比上述第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层,以及设置在上述第二强磁性层和上述第三强磁性层之间、将上述第三强磁性层的磁化的反转传递给上述第二强磁性层的中间层,上述第二强磁性层和上述第三强磁性层隔着上述中间层进行磁耦合;上述磁致电阻效应元件的第二和第三强磁性层作为能随着通过使电流流过上述第一和第二布线中的至少一条布线而产生的电流磁场来改变磁化方向的存储层,上述第三强磁性层与产生上述电流磁场的上述一条布线相邻地设置;上述一条布线的侧部设有轭。 |
地址 |
日本东京都 |