发明名称 |
降低半导体器件发热的散热方法、相应器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种芯片散热结构、带该结构的芯片和降低芯片发热的工艺方法,在芯片背部淀积金属扩散阻挡层;在金属扩散阻挡层背部淀积金属层;在芯片背部涂布光敏材料;对散热结构光刻和刻蚀,去除光敏材料并进行清洗。散热结构包括阻挡层和金属层,两层上下紧密连接,其中阻挡层附着于芯片背部。其有益效果是直接依靠半导体工艺生产制造,无须黏附处理,散热结构直接连接于芯片,这增加了散热的效能,而且将散热结构至于芯片背部,避免了由于表面封装带来的不利因素,大大提高了散热效率和节约了能源。 |
申请公布号 |
CN100449740C |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN200610027852.5 |
申请日期 |
2006.06.19 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
朱骏 |
分类号 |
H01L23/36(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/36(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
1.降低半导体器件发热的散热方法,其特征在于:在半导体器件背部附着多个立体的散热结构,所述散热结构包括阻挡层和金属层,其中阻挡层附着于半导体器件背部,金属层附着于阻挡层。 |
地址 |
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼 |