发明名称 降低半导体器件发热的散热方法、相应器件及其制造方法
摘要 本发明公开了一种芯片散热结构、带该结构的芯片和降低芯片发热的工艺方法,在芯片背部淀积金属扩散阻挡层;在金属扩散阻挡层背部淀积金属层;在芯片背部涂布光敏材料;对散热结构光刻和刻蚀,去除光敏材料并进行清洗。散热结构包括阻挡层和金属层,两层上下紧密连接,其中阻挡层附着于芯片背部。其有益效果是直接依靠半导体工艺生产制造,无须黏附处理,散热结构直接连接于芯片,这增加了散热的效能,而且将散热结构至于芯片背部,避免了由于表面封装带来的不利因素,大大提高了散热效率和节约了能源。
申请公布号 CN100449740C 申请公布日期 2009.01.07
申请号 CN200610027852.5 申请日期 2006.06.19
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 朱骏
分类号 H01L23/36(2006.01) 主分类号 H01L23/36(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 王洁
主权项 1.降低半导体器件发热的散热方法,其特征在于:在半导体器件背部附着多个立体的散热结构,所述散热结构包括阻挡层和金属层,其中阻挡层附着于半导体器件背部,金属层附着于阻挡层。
地址 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼
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