发明名称 |
低热膨胀性Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基氧离子导体固体电解质及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低热膨胀性Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基氧离子导体固体电解质及其制造方法。其特征是电解质是:Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> 84~98mol%分别和TiO<SUB>2</SUB> 2~16mol%、Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 4~16mol%、TeO<SUB>2</SUB> 6~9mol%、ZrO<SUB>2</SUB> 7~11mol%组成固溶体;制备时通过反向滴定化学共沉淀法制备了纳米Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>和R<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>混合粉体原料,其中R<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>是指TiO<SUB>2</SUB>、Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、TeO<SUB>2</SUB>或ZrO<SUB>2</SUB>。本发明的效果和益处是电解质在300~800℃的电导率为1.45×10<SUP>-7</SUP>~3.28×10<SUP>-1</SUP>S·cm<SUP>-1</SUP>,室温到820℃的热膨胀系数为2.28~3.89×10<SUP>-6</SUP>/K,适于中高温气体传感器和固体氧化物燃料电池材料的要求。 |
申请公布号 |
CN101328063A |
申请公布日期 |
2008.12.24 |
申请号 |
CN200810012312.9 |
申请日期 |
2008.07.08 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
李金平;李景超;刘洪 |
分类号 |
C04B35/495(2006.01);C04B35/622(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/495(2006.01) |
代理机构 |
大连理工大学专利中心 |
代理人 |
侯明远 |
主权项 |
1.一种低热膨胀性Ta2O5基氧离子导体固体电解质,其特征在于其组成是:摩尔百分比为84~98%的Ta2O5分别和摩尔百分比为TiO2 2~16%、Fe2O3 4~16%、TeO2 6~9%、ZrO2 7~11%组成固溶体。 |
地址 |
116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 |