| 发明名称 | 刻蚀工艺条件的检验及优化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀工艺条件的检验方法，包括步骤：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底上沉积停止层；在所述第一衬底上的所述停止层上沉积具有第一厚度的材料层；在所述第二衬底上沉积具有第二厚度的材料层，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；在所述第一衬底和第二衬底的材料层上分别定义刻蚀图形；对所述第一衬底和第二衬底上的所述材料层进行刻蚀；检测所述刻蚀的结果；根据所述结果判断所述刻蚀的工艺条件是否满足要求。采用本发明的检验方法可以检验所用的刻蚀工艺条件是否能具有一定的工艺窗口，以确保刻蚀工艺的一致性。本发明还相应提供了一种刻蚀工艺条件的优化方法，可以根据检测的结果实现对刻蚀工艺条件的调整及优化。 | ||
| 申请公布号 | CN101329983A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710042147.7 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 颜进甫;杨中辉;陈文丽;李玉科;蔡信裕;孙智江 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种刻蚀工艺条件的检验方法，其特征在于，包括步骤：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底上沉积停止层；在所述停止层上沉积具有第一厚度的材料层；在所述第二衬底上沉积具有第二厚度的材料层，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；在所述第一衬底和第二衬底的材料层上分别定义刻蚀图形；对所述第一衬底和第二衬底上的所述材料层进行刻蚀；对所述刻蚀的结果进行检测，当所述第一衬底上的刻蚀图形底部未露出衬底，所述第二衬底上的刻蚀图形底部已露出衬底时，确定所述刻蚀工艺条件满足工艺窗口的要求。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||