| 发明名称 | 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101331616A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200680046768.6 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 福永修大;篠原裕直;大泽弘 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓类化合物半导体发光元件，其在氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠有包含掺杂剂的透光性导电氧化膜，其特征在于：前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||