| 发明名称 | 与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器。具体地，本发明教导一种单层多晶硅非易失性存储器单元，该单层多晶硅非易失性存储器单元与CMOS工艺兼容，使用较低电压进行工作，并且在编程、读取或擦除操作中更可靠。根据本发明的该单层多晶硅非易失性存储器单元包括具有编程端子的编程晶体管；具有感测端子的感测晶体管；以及具有擦除端子的擦除晶体管，其中，所述感测晶体管与所述编程晶体管和所述擦除晶体管共享浮栅。通过采用本发明，与常规双层多晶硅浮栅的嵌入式闪存存储器相比，在特征丰富的半导体产品中提供了显著的成本优势。 | ||
| 申请公布号 | CN101329913A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810127017.8 | 申请日期 | 2008.06.18 |
| 申请人 | 隆智半导体公司 | 发明人 | 周显峰;李迪 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);G11C16/12(2006.01);G11C16/26(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/14(2006.01) | 主分类号 | G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人 | 严慎 |
| 主权项 | 1.一种单层多晶硅非易失性存储器单元，包括：具有编程端子的编程晶体管；具有感测端子的感测晶体管；以及具有擦除端子的擦除晶体管，其中，所述感测晶体管与所述编程晶体管和所述擦除晶体管共享浮栅。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||