发明名称 半导体器件
摘要 本发明的课题是,提供防止了用于进行电源线的桥式整流的半导体元件遭到破坏的功率集成电路器件。本发明制成了将HNMOS晶体管(4)的漏电极与NMOS晶体管(21)的栅电极连接,经电阻(32)对NMOS晶体管(21)的漏电极施加逻辑电路电压VCC,对NMOS晶体管(21)的源电极施加接地电位的结构。于是,借助于用接口电路(1)监测NMOS晶体管(21)的漏电位V2,间接地监测了电位VS。
申请公布号 CN100446419C 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200410035107.6 申请日期 2004.04.23
申请人 三菱电机株式会社 发明人 清水和宏
分类号 H03K17/16(2006.01) 主分类号 H03K17/16(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘宗杰;叶恺东
主权项 1.一种半导体器件,对串联连接的、插在高电位的主电源电位与低电位的主电源电位之间的第一和第二开关器件进行驱动控制,其特征在于,具备:高电位部,包含对在上述第一和第二开关器件中成为高电位侧的上述第一开关器件的导通/非导通进行控制的控制部;低电位侧逻辑电路,设置在以上述低电位的主电源电位为基准进行工作的低电位部上,并根据从外部施加的信号,生成具有表示上述第一开关器件导通的第一状态和表示上述第一开关器件非导通的第二状态的控制信号,同时根据上述控制信号,对应于上述第一和第二状态产生第一和第二脉冲信号;第一和第二电平移位部,将上述第一和第二脉冲信号向上述高电位部进行电平移位,并分别得到第一和第二电平移位结束脉冲信号;以及电压检测元件,配置在上述低电位部上,并用于在上述第一及第二电平移位部内,检测至少其一的输出线的电位,将根据该电位的逻辑值提供给上述低电位侧逻辑电路,控制上述低电位侧逻辑电路工作,上述第一及第二电平移位部,分别具有插在上述高电位的主电源电位和上述低电位的主电源电位之间的、具备两电位差以上的耐压的第一及第二高耐压MOS晶体管,上述第一及第二脉冲信号被分别提供给第一及第二高耐压MOS晶体管的栅电极,上述高电位部,具有串联连接的、构成第一互补型MOS晶体管的第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管,上述控制部,根据上述第一及第二电平移位结束脉冲信号,控制上述第一互补型MOS晶体管的导通/非导通,以此控制上述第一开关器件的导通/非导通,上述低电位部,具有串联连接的、构成第二互补型MOS晶体管的第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管,根据从上述低电位侧逻辑电路输出的规定的信号,控制上述第二互补型MOS晶体管的导通/非导通,以此控制成为低电位侧的第二开关器件的导通/非导通。
地址 日本东京都