| 发明名称 | 不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法。本发明包括半导体材料、主扩散结、n个耐压层B<SUB>1</SUB>～B<SUB>n</SUB>(n≥2)、耗尽终止区和介质层，其主扩散结、n个耐压层B<SUB>1</SUB>～B<SUB>n</SUB>、耗尽终止区都处于半导体材料中，主扩散结和耐压层的导电类型与半导体材料的导电类型相反，耗尽终止区与半导体材料的导电类型相同。这种结构可以将主扩散结的击穿电压提高30％以上，能够使主扩散结击穿电压达到半导体材料理想平行平面结最大雪崩击穿电压80％以上。本发明结构可以应用于数十伏到数千伏的半导体器件结终端中，适用于高压半导体器件和集成电路的结构及制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101330098A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810070011.1 | 申请日期 | 2008.07.22 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 发明人 | 谭开洲;胡永贵;刘勇;欧宏旗;唐昭焕 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法，包括：半导体材料1，主扩散结2，n个耐压层B1～Bn(n≥2)，耗尽终止区4和介质层3，其中主扩散结2、n个耐压层B1～Bn、耗尽终止区4都处于半导体材料1中，主扩散结2和n个耐压层B1～Bn的导电类型与半导体材料1是相反导电类型，耗尽终止区4与半导体材料1是相同导电类型。 | ||
| 地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||