| 发明名称 | 晶片表面材料层的处理系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片表面材料层的处理系统和方法，所述系统包括处理室、射频功率源，和与所述射频功率源连接的激励线圈，所述处理室内上部充满被所述射频功率源和激励线圈电离的等离子体，所述半导体晶片置于所述处理室内底部，在所述等离子体与所述半导体晶片之间具有透明材料层，所述等离子体发射的紫外光透过所述透明材料层照射在所述半导体晶片表面材料层。本发明的晶片表面材料层的处理系统和方法能够从根本上解决利用紫外线对材料层进行处理时紫外线光强度均匀性的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101329984A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710042157.0 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴汉明;张春光 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/67(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种晶片表面材料层的处理系统，所述系统包括处理室、射频功率源，和与所述射频功率源连接的激励线圈，所述处理室内上部充满被所述射频功率源和激励线圈电离的等离子体，所述半导体晶片置于所述处理室内底部，在所述等离子体与所述半导体晶片之间具有透明材料层，所述等离子体发射的紫外光透过所述透明材料层照射在所述半导体晶片表面材料层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||