发明名称 一种二阶段背式刻蚀的方法
摘要 一种二阶段背式刻蚀的方法,该方法包括:先提供已具有数层硬罩幕层的基板。接着,第一次背刻蚀基板背面与侧边,以移除基板背面与侧边的部分硬罩幕层。而后,依序图案化硬罩幕层与基板,以在基板内形成数个沟渠。最后,在进行一湿槽清洗步骤之前,第二次背刻蚀基板侧边,以移除位于基板侧边的针状结构。
申请公布号 CN101329991A 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200710109413.3 申请日期 2007.06.18
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 王彦鹏
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/308(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;祁建国
主权项 1、一种二阶段背式刻蚀的方法,其特征在于,该方法至少包含:提供一基板,该基板具有多个硬罩幕层;第一次背刻蚀该基板的背面与侧边,以移除位于该基板背面与侧边的该硬罩幕层;依序图案化该硬罩幕层与该基板,以在该基板内形成多个沟渠;在进行一湿槽清洗步骤之前,第二次背刻蚀该基板侧边,以移除位于该基板侧边的多个针状结构。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路十九号三楼