蚀刻光刻基片的改进的方法

摘要

本发明提供一种在真空室内处理光刻基片的方法。该方法包括在对该光刻基片在该真空室内进行处理之前将该光刻基片冷却到目标温度的步骤。将至少一种处理气体引入该真空室。在该光刻基片达到该目标温度后，从该处理气体中激发等离子体，其中使用该等离子体对该光刻基片进行处理。在处理完成后，将该光刻基片从该真空室中卸载。

主权项

1.一种用于处理光刻基片的方法，包括：将该光刻基片装载到真空室内；将该光刻基片冷却到目标温度；将至少一种处理气体引入所述真空室；在所述冷却步骤之后，从所述处理气体激发等离子体；使用所述等离子体处理该光刻基片；以及从所述真空室卸载该光刻基片。