发明名称 |
碲镉汞母液合成装置 |
摘要 |
一种碲镉汞母液合成装置,包括由高纯石墨制作的石墨舟,所述石墨舟包括自下而上装配在一起的下合成槽、成型槽和上合成槽,所述成型槽位于所述上合成槽内,所述下合成槽的槽的边缘有一密封定位环形凸棱,所述上合成槽的槽与所述密封定位环形凸棱相配合,所述上合成槽的槽的深度为所述密封定位环形凸棱的高度与所述成型槽的高度之和,所述成型槽具有若干个均匀分布纵向平行排列的独立小孔。利用本实用新型碲镉汞母液合成装置合成碲镉汞薄膜液相外延生长所使用的碲镉汞母液,方法简单,一次碲镉汞母液合成就能保证几十次外延母液组份是完全一致的,重复性和利用率大大提高,有利于降低成本。 |
申请公布号 |
CN201169651Y |
申请公布日期 |
2008.12.24 |
申请号 |
CN200820078931.3 |
申请日期 |
2008.02.03 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十一研究所 |
发明人 |
周立庆;刘兴新;巩锋 |
分类号 |
C30B29/48(2006.01);C30B19/00(2006.01);H01L31/0296(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/48(2006.01) |
代理机构 |
北京双收知识产权代理有限公司 |
代理人 |
解政文 |
主权项 |
1、一种碲镉汞母液合成装置,其特征在于:包括由高纯石墨制作的石墨舟,所述石墨舟包括自下而上装配在一起的下合成槽(3)、成型槽(2)和上合成槽(1),所述成型槽(2)位于所述上合成槽(1)内,所述下合成槽(3)的槽的边缘有一密封定位环形凸棱,所述上合成槽(1)的槽与所述密封定位环形凸棱相配合,所述上合成槽(1)的槽的深度为所述密封定位环形凸棱的高度与所述成型槽(2)的高度之和,所述成型槽(2)具有若干个均匀分布纵向平行排列的独立小孔(4)。 |
地址 |
100015北京市朝阳区酒仙桥路4号 |