| 发明名称 | 凸点制作方法、凸点下金属层及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种凸点下金属层的制作方法，包括，提供包含屏蔽层的晶片；在所述屏蔽层上形成第一金属层，还包括在第一金属层上形成保护层。本发明还公开了一种凸点的制作方法，包括，提供包含凸点下金属层的晶片，所述凸点下金属层依次包括屏蔽层、第一金属层和保护层；在第一金属层上形成凸点。本发明凸点下金属层制作方法和凸点制作方法通过在第一金属层上形成保护层，隔绝了第一金属层，从而避免在去除光刻胶的过程中使用的化学药品和第一金属层发生反应产生影响后续封装工艺质量的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101330065A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710042460.0 | 申请日期 | 2007.06.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 靳永刚;王重阳;陈杰;孙支柱;章剑名 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种凸点下金属层，包括晶片上的屏蔽层和屏蔽层上的第一金属层，其特征在于，还包括第一金属层上的保护层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||