| 发明名称 | 抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。 | ||
| 申请公布号 | CN101327573A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810131155.3 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 株式会社荏原制作所 | 发明人 | 户川哲二;福岛诚;樱井邦彦;吉田博;锅谷治;市村照彦 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01);B24B29/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈萍 |
| 主权项 | 1、一种抛光方法，用顶部圆环来保持研磨对象物，把该研磨对象物按压到研磨面上进行研磨，其特征在于：在顶部圆环主体与上下活动自如地安装于该顶部圆环主体的下方的上下活动部件之间形成第1压力室，在与通过上述顶部圆环保持的研磨对象物搭接的弹性膜和上述上下活动部件之间形成第2压力室，把加压流体供给到上述第1压力室内及第2压力室内，利用上述流体的流体压力把上述研磨对象物按压到上述研磨面上进行研磨，研磨结束后，把上述第1压力室内及第2压力室内的压力敞开为大气压并使上述上下活动部件向下方移动，通过使上述研磨对象物搭接在向下方突出地设置于上述上下活动部件的吸附部上来把上述研磨对象物吸附保持在上述顶部圆环上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||