| 发明名称 | 一种沟槽型功率晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种沟槽型功率晶体管的制造方法，属于半导体的制造领域。此方法包括两道炉管氧化步骤，四层掩膜板及四道光刻工艺步骤，所述的两道炉管氧化步骤为垫层氧化和栅极氧化生长步骤；所述的四层掩膜板及四道光刻工艺步骤分别为有源区成形步骤、接触窗沉积及成形步骤、金属层沉积及成形步骤、钝化层密封及成形步骤。该方法无需内层介电层氧化、化学机械抛光或内层介电层氧化回蚀的步骤，即可达到内层介电层平坦化的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101330021A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710024504.7 | 申请日期 | 2007.06.21 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 黄清俊;陈斌;李召兵;石亮 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 主权项 | 1、一种沟槽型功率晶体管的制造方法，其特征在于：此方法包括两道炉管氧化步骤，四层掩膜板及四道光刻工艺步骤，所述的两道炉管氧化步骤为垫层氧化和栅极氧化生长步骤；所述的四层掩膜板及四道光刻工艺步骤，分为有源区成形步骤、接触窗沉积及成形步骤、金属层沉积及成形步骤、钝化层密封及成形步骤。 | ||
| 地址 | 215025江苏省苏州市工业园区星华街333号 | ||