| 发明名称 | 多晶硅的制法、薄膜晶体管及制法及有机发光二极管显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供制造多晶硅(poly－Si)层的方法，包括：提供基板，在该基板上形成非晶硅(a－Si)层，在该非晶硅层上形成厚度约为10至50的热氧化层，以及将该基板退火以采用金属催化剂层的金属催化剂将非晶硅层晶化为多晶硅层。因此，该非晶硅层可以通过超晶粒硅(SGS)晶化方法晶化为多晶硅层。而且，该热氧化层可以在非晶硅层的脱氢期间形成，从而可以省略SGS晶化方法所需的形成盖层的附加工艺，由此简化了制造工艺。本发明还涉及薄膜晶体管、其制造方法以及有机发光二极管显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101330004A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810128532.8 | 申请日期 | 2008.06.19 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 梁泰勋;李基龙;徐晋旭;朴炳建;李吉远 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/32(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种制造多晶硅层的方法，包括：提供基板；在该基板上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成厚度为10至<img file="A2008101285320002C1.GIF" wi="98" he="52" />的热氧化层；在该热氧化层上形成金属催化剂层；以及将该基板退火，以采用该金属催化剂层的金属催化剂将该非晶硅层晶化为多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||