| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不论等离子体的状态如何，都可以容易地确保等离子体的均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在上部电极(34)与下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体并对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，高频电源(48)和可变直流电源(50)与上部电极(34)连接。上部电极(34)具有外侧部分(36a)和内侧部分(36b)，来自高频电源(48)的高频电流在外侧部分(36a)和内侧部分(36b)二者中流过，来自可变直流电源(50)的直流电源在内侧部分(36a)中流过但实际上不在外侧部分(36b)中流过。 | ||
| 申请公布号 | CN100446637C | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200610067101.6 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松本直树;舆水地盐;舆石公 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01);H01J37/32(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H05H1/46(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；将高频电力施加到所述第一电极的高频电源；将直流电压施加到所述第一电极的直流电源；和将处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给单元，其可在所述第一电极与所述第二电极之间生成处理气体的等离子体并对被处理基板进行等离子体处理，并且，所述第一电极被构成为在其外侧部分来自所述直流电源的电流实际上不能流过。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||