Beschleunigungssensor und Herstellungsverfahren desselben

摘要

Eine erste und eine zweite Halbleiterschicht (SL1 und SL2) werden mit einer dazwischengefügten Isolationsschicht (IL1) aneinander angebracht. Eine Beschleunigungssensorvorrichtung ist in der ersten Halbleiterschicht (SL1) ausgebildet. Eine Steuervorrichtung (ED) zum Steuern der Beschleunigungssensorvorrichtung ist auf der zweiten Halbleiterschicht (SL2) ausgebildet. Durchgangslöcher (TH) sind in der zweiten Halbleiterschicht (SL2) ausgebildet und eine Isolationsschicht (IL2) ist so ausgebildet, dass sie die Wandoberflächen der Durchgangslöcher (TH) bedeckt. Durchgangsverbindungen (HI) sind innerhalb der Durchgangslöcher (TH) ausgebildet zum elektrischen Verbinden der Beschleunigungssensorvorrichtung und der Steuervorrichtung (ED) miteinander. Folglich ist es möglich, einen Beschleunigungssensor mit einer hervorragenden Detektionsgenauigkeit zu erhalten, während dieser eine verringerte Größe zeigt, sowie ein Herstellungsverfahren desselben.