| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。本发明还提供一种互补金属氧化物半导体图像传感器。本发明可减小互补金属氧化物半导体图像传感器的漏电流，提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101330050A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710042152.8 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨承;罗飞;徐锦心;朱虹 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/146(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||