发明名称 | 多晶硅栅极掺杂方法 | ||
摘要 | 本发明的多晶硅栅极掺杂方法,其特征是去除多晶硅硬掩模和多晶硅栅极掺杂集成的方法。在去除多晶硅硬掩模之前,在整个表面覆盖高流平性涂层,首先等离子刻蚀去除部分该涂层,再用等离子刻蚀或/和湿法刻蚀去除硬掩模,然后对多晶硅栅极自对准掺杂。 | ||
申请公布号 | CN100446184C | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
申请号 | CN200510027415.9 | 申请日期 | 2005.06.30 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 朱蓓;宁先捷 |
分类号 | H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
主权项 | 1.一种多晶硅栅极的掺杂方法,包括:形成PMOS多晶硅栅极,作为栅极导电结构,以及硬掩模;形成多晶硅栅极的间隔层;对硅衬底进行凹陷刻蚀;在凹陷处选择性外延生长硅锗层;在整个表面上覆盖高流平性涂层;回蚀,去除硬掩模和部分涂层;形成光刻胶图案;在多晶硅栅极上进行离子注入以掺杂。 | ||
地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 |