利用通孔塞消除负载效应的方法

摘要

一种利用通孔塞(via plug)消除负载效应的方法。根据实施方案，本发明提供一种加工集成电路的方法，其中负载效应减少。该方法包括提供衬底的步骤，该衬底的特征在于第一厚度。该方法还包括形成覆盖衬底的中间金属介电层的步骤。中间金属介电层的特征在于第二厚度。该方法还包括形成覆盖中间金属介电层的第一光刻胶层的步骤。第一光刻胶层与第一图案相关。另外，该方法包括形成至少部分位于中间金属介电层内部的第一孔的步骤。第一通孔的特征在于第一深度。该方法还包括移除第一光刻胶层的步骤。该方法还包括形成通孔塞的步骤。

主权项

1.一种用于加工集成电路的方法，其中负载效应减少，所述方法包括：提供衬底，所述衬底的特征在于第一厚度；形成覆盖衬底的中间金属介电层；所述中间金属介电层的特征在于第二厚度；形成覆盖中间金属介电层的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与第一图案相关；形成至少部分位于中间金属介电层内部的第一孔；所述第一孔的特征在于第一深度；移除第一光刻胶层的步骤；形成通孔塞，所述通孔塞位于第一孔内部，所述通孔塞的特征在于第一多维度，所述第一多维度包括第一高度和第一宽度，所述第一高度小于或等于所述第一深度；形成覆盖第一孔的第一填充层；形成覆盖第一填充层的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层与第二图案相关；形成至少部分位于中间金属介电层内部的第二孔，所述第二孔的特征在于第二多维度，所述第二多维度包括第二深度和第二宽度，所述第二深度小于第一深度；和移除通孔塞和第二光刻胶层。