| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：第1导电类型的半导体区域；在半导体区域内相互离开配置的第2导电类型的扩散区；配置在扩散区之间的沟道区域上的隧道绝缘膜；配置在隧道绝缘膜上的浮置栅电极；配置在浮置栅电极上的电极间绝缘体；以及配置在电极间绝缘体上的控制栅电极。电极间绝缘体包含镧系金属Ln、铝Al、以及氧O，镧系金属和铝的组成比Ln/(Al+Ln)取0.33至0.39的范围内的值。 | ||
| 申请公布号 | CN101330108A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810125335.0 | 申请日期 | 2008.06.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 菊地祥子;高岛章;安田直树;村冈浩一 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭放 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器件，包括：第1导电类型的半导体区域；在半导体区域内相互离开配置的第2导电类型的扩散区；配置在扩散区之间的沟道区域上的隧道绝缘膜；配置在隧道绝缘膜上的浮置栅电极；配置在浮置栅电极上的电极间绝缘体；以及配置在电极间绝缘体上的控制栅电极，其中，电极间绝缘体包含镧系金属Ln、铝Al、以及氧O，镧系金属和铝的组成比Ln/(Al+Ln)取0.33至0.39的范围内的值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||