| 发明名称 | 包括金属互连的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种包括金属互连的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：位于半导体层上并包括沟道的第一层间电介质；位于所述第一层间电介质上的掩模图案；位于所述沟道中的第一导电图案；和位于所述掩模图案上的第二层间电介质。所述第二层间电介质包括位于所述第一导电图案之上的开口。第二导电图案位于所述开口中并电连接至所述第一导电图案。所述第一导电图案具有低于所述掩模图案的上表面的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101330072A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810127785.3 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李钟鸣;崔吉铉;洪琮沅;朴显;崔庆寅;李贤培 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体层；位于所述半导体层上并包括沟道的第一层间电介质；位于所述第一层间电介质上的掩模图案；位于所述沟道中的第一导电图案；位于所述掩模图案上的第二层间电介质，该第二层间电介质包括位于所述第一导电图案之上的开口；以及位于所述开口中并电连接到所述第一导电图案的第二导电图案，其中，所述第一导电图案具有低于所述掩模图案的上表面的上表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||