| 发明名称 | 用于制造p型半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个实施例提供了一种用于制造III－V族p型氮化物结构的方法。该方法包括在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III－V族材料。该方法还包括在第二生长环境中在第一层的顶部上生长第二层p型III－V族材料，其比第一层厚并且其具有第二受主浓度。另外，该方法包括在第三生长环境中在第二层的顶部上生长第三层p型III－V族材料，其比第二层薄并且其具有第三受主浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN101330118A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710112585.6 | 申请日期 | 2007.06.22 |
| 申请人 | 晶能光电（江西）有限公司 | 发明人 | 江风益;王立;方文卿;莫春兰 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种用于制造III-V族p型氮化物结构的方法，所述方法包括：在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III-V族材料；在第二生长环境中在所述第一层的顶部上生长第二层p型III-V族材料，其比所述第一层厚并且其具有第二受主浓度；以及在第三生长环境中在所述第二层的顶部上生长第三层p型III-V族材料，其比所述第二层薄并且其具有第三受主浓度。 | ||
| 地址 | 330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学北区(材料科学研究所) | ||