发明名称 半导体发光器件的制造方法
摘要 本发明的目的是,利用简单的结构提供一种半导体发光器件的制造方法,使来自发光元件芯片的射出光和波长变换剂的激励光的混色光不产生颜色不均,并且使作为波长变换剂进行波长变换后的损失能量而放出的热量能够有效散发。在基板上表面的光反射腔的底面设置发光元件芯片,在上述光反射腔内形成含有粒状波长变换剂(15a)的波长变换层(15),按如下步骤来构成半导体发光器件的制造方法:填充上述波长变换层的工序首先在上述光反射腔内填充不含有波长变换剂的第一透光性树脂(17),直到略微露出发光元件芯片的上表面,使得从发光元件芯片的上表面朝向周围倾斜成擂钵状,然后,在上述光反射腔内,在上述第一透光性树脂上填充含有波长变换剂的第二透光性树脂(18),然后,使上述第一透光性树脂和第二透光性树脂固化。
申请公布号 CN100446283C 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200510105871.0 申请日期 2005.09.29
申请人 斯坦雷电气株式会社 发明人 原田光范
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1.一种半导体发光器件的制造方法,在设于基板上表面的光反射腔的底面设置发光元件芯片,在上述光反射腔内形成含有粒状波长变换剂的波长变换层,由来自上述发光元件芯片的出射光激励波长变换剂,把出射光和激励光的混色光射出到外部,其特征在于,在上述光反射腔内填充含有波长变换剂的波长变换层的工序包括:第一步骤,在上述光反射腔内填充不含有波长变换剂的第一透光性树脂,直到略微露出发光元件芯片的上表面,使得从发光元件芯片的上表面朝向周围倾斜成擂钵状;第二步骤,在上述光反射腔内,在上述第一透光性树脂上填充含有波长变换剂的第二透光性树脂;第三步骤,使上述第一透光性树脂和第二透光性树脂固化。
地址 日本东京