一种玻璃陶瓷基板材料的配方及制备方法

摘要

一种玻璃陶瓷基板材料的配方及制备方法，由SiO₂ 60～85wt％，B₂O₃ 15～35wt％，K₂O 0.1～2.5wt％，Na₂O 0.1～2.5wt％四种氧化物组成的硼硅酸盐玻璃和SiO₂微粉组成，其中硼硅酸盐玻璃占55-90wt％，SiO₂占10-45wt％。按配方将化学纯的SiO₂、B₂O₃、K₂O和Na₂O，经球磨、干燥和混料后在1300～1550℃下保温晶化；保温晶化后经淬火得到微晶玻璃体，再经湿法球磨得到硼硅酸盐微晶玻璃；最后将硼硅酸盐微晶玻璃和化学纯的SiO₂按配方经过球磨、混料和造粒，在850～900℃下保温，即制得本发明所述的玻璃陶瓷基板材料。所制备的玻璃陶瓷基板材料的性能指标为：介电常数ε＜4(1MHz)，介电损耗tanδ＜10^-3(1MHz)，绝缘电阻率ρ≥10¹³Ω·cm，耐压强度E≥5×10⁷V/m，抗折强度≥200Mpa，热膨胀系数α≈3.6×10^-6/℃，导热率k≈1W/m·K。所制得玻璃陶瓷基板材料能满足现代集成电路技术中多层布线和微电子组装技术中低温共烧工业化的要求。

主权项

1、一种玻璃陶瓷基板材料，其特征是由硼硅酸盐玻璃和SiO2组成，配方为：硼硅酸盐玻璃55-90wt％，SiO2 10-45wt％；所述硼硅酸盐玻璃由SiO2，B2O3，K2O，Na2O组成，配方为：SiO2 60～85wt％，B2O3 15～35wt％，K2O 0.1～2.5wt％，Na2O 0.1～2.5wt％；所述玻璃陶瓷基板材料的性能指标为：1MHz的工作频率下，介电常数ε＜4，介电损耗tanδ＜10-3；绝缘电阻率ρ≥1013Ω·cm，耐压强度E≥5×107V/m，抗折强度≥200MPa，热膨胀系数α≈3.6×10-6/℃，导热率k≈1W/m·K。