Halbleitervorrichtung mit MIS-Transistor des lateralen Typs

摘要

Eine Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat (10); und einen MIS-Transistor (21, 21A, 22, 23) des lateralen Typs, der an einem Oberflächenbereich des Halbleitersubstrats (10) angeordnet ist. Der MIS-Transistor (21, 21A, 22, 23) des lateralen Typs weist Folgendes auf: eine Leitung, die mit einem Gate des MIS-Transistors (21, 21A, 22, 23) des lateralen Typs gekoppelt ist; einen Widerstand (50, 51, 53, 54) aus polykristallinem Silizium, der in der Leitung vorgesehen ist, und der einen Leitfähigkeitstyp aufweist, welcher zu dem eines Drain des MIS-Transistors (21, 21A, 22, 23) des lateralen Typs entgegengerichtet ist; und eine Isolierschicht (4, 4A), durch die an den Widerstand (50, 51, 53, 54) aus polykristallinem Silizium eine Drain-Spannung des MIS-Transistors (21, 21A, 22, 23) des lateralen Typs angelegt wird.