Transistor mit isoliertem Gate

摘要

Eine Ladungsspeicherschicht (12) eines ersten Leitungstyps ist auf der ersten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrates (11) ausgebildet. Eine Basisschicht (13) des zweiten Leitungstyps ist auf der Ladungsspeicherschicht (12) ausgebildet. Jeder Graben (14), der durch die Basisschicht (13) und die Ladungsspeicherschicht (12) hindurch ausgebildet ist, ist mit einem isolierenden Film (15) ausgekleidet und mit einer Graben-Gate-Elektrode (16) ausgefüllt. Dummy-Gräben (17) sind auf beiden Seiten jedes Grabens (14) ausgebildet. Sourceschichten (21) des ersten Leitungstyps sind selektiv in der Oberfläche der Basisschicht (13) und in Kontakt mit den Seitenwänden der Gräben (14) ausgebildet. Die Sourceschichten (21) sind voneinander beabstandet und entlang der Längsrichtung der Gräben (14) angeordnet. Eine Kontaktschicht (22) des zweiten Leitungstyps ist in der Oberfläche der Basisschicht (13) und zwischen jeweils zwei benachbarten Sourceschichten (21), die entlang der Längsrichtung der Gräben (14) angeordnet sind, ausgebildet. Eine Kollektorschicht (24) des zweiten Leitungstyps ist auf der zweiten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates (11) ausgebildet.