| 发明名称 | 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，本发明公开了一种具有肖特基二极管的相变存储器件及其制备方法。其基本特征在于：该结构单元由肖特基二极管与相变存储器构成，肖特基二极管作为相变存储器的选通管，肖特基二极管通过固相外延技术生长N型或者P型Si单晶薄膜，与金属薄膜构成金属半导体接触。该方法制备的肖特基二极管有性能稳定，速度快，驱动电流大的特点。本发明公开的结构特点是用于高密度相变存储器，同时降低相变存储器生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101262005A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200810035940.9 | 申请日期 | 2008.04.11 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 凌云;宋志棠;封松林 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元结构，其特征在于所提供的相变存储单元具有平行的导电位线，位线与肖特基二极管的一端相连；肖特基二极管的另一端则与相变存储单元的下电极相连，相变存储单元的上电极与平行的导电字线相连。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||