| 发明名称 | 光近场产生装置、光近场产生方法及信息记录和再现装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光近场产生装置。光近场产生装置包括：光源；光透射衬底；以及被光源发射的光照射以产生光近场的导电散射体。散射体形成在光透射衬底的具有不同高度的平面上，并且包括形成于与被施加光近场的物体最接近的表面上的第一区域和形成于相比第一区域远离物体表面上的第二区域。光近场从散射体的第一区域朝向物体产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101261837A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200710185775.0 | 申请日期 | 2007.10.08 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 本乡一泰;渡边哲 |
| 分类号 | G11B5/00(2006.01);G11B5/012(2006.01);G11B5/74(2006.01) | 主分类号 | G11B5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平 |
| 主权项 | 1.一种光近场产生装置，包括：光源；光透射衬底；以及被光源发射的光照射以产生光近场的导电散射体，其中，所述导电散射体形成在光透射衬底的具有不同高度的平面上，包括形成于与被施加光近场的物体最接近的表面上的第一区域和形成于相比第一区域远离所述物体的表面上的第二区域，并且从所述散射体的第一区域朝向所述物体产生光近场。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||