具有竖直堆叠发光二极管的发光器件

摘要

本发明公开了一种具有竖直堆叠的发光二极管的发光器件。包括定位在基板上的第一导电类型的下半导体层，位于第一导电类型的下半导体层上的第二导电类型的半导体层，以及位于第二导电类型的半导体层上的第一导电类型的上半导体层。此外，下主动层介于第一导电类型的下半导体层与第二导电类型的半导体层之间，并且上主动层介于第二导电类型的半导体层与第一导电类型的上半导体层之间。因此，提供了一种发光器件，其中包括下主动层的下发光二极管与包括上主动层的上发光二极管竖直堆叠。因此，与传统的发光器件相比，发光器件的单元面积的光输出增强，并且，因而获得与传统发光器件相同光输出所需的发光器件芯片面积降低。

主权项

1、一种具有竖直堆叠的发光二极管的发光器件，其特征在于其包括：基板；第一导电类型的下半导体层，定位在所述基板上；第二导电类型的下半导体层，定位在所述第一导电类型的下半导体层上；第二导电类型的上半导体层，定位在所述第二导电类型的下半导体层上；第一导电类型的上半导体层，定位在所述第二导电类型的上半导体层上；下主动层，介于所述第一导电类型的下半导体层与所述第二导电类型的下半导体层之间；上主动层，介于所述第二导电类型的上半导体层与所述第一导电类型的上半导体层之间；以及分离层，介于所述第二导电类型的下半导体层与所述第二导电类型的上半导体层之间。