| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体存储器件。在一个实施例中，半导体存储器件包括多个位线对，每一个所述对包括：第一位线、第二位线；与所述第一位线耦合的存储单元；根据第一位线和第二位线之间的电位差测定存储在存储单元的逻辑值的读出放大器；基准电压生成电路以及使基准电压生成电路的输出与第二位线耦合的基准电压源开关。 | ||
| 申请公布号 | CN101261876A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200810083720.3 | 申请日期 | 2008.03.07 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 高桥弘行;中川敦 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01);G11C7/14(2006.01);G11C11/4094(2006.01);G11C11/4099(2006.01) | 主分类号 | G11C7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：多个位线对，每一所述对包括：第一位线；第二位线；存储单元，该存储单元耦合到所述第一位线；读出放大器，该读出放大器根据所述第一位线和所述第二位线之间的电位差测定存储在所述存储单元中的逻辑值；基准电压生成电路；以及基准电压源开关，该基准电压源开关使所述基准电压生成电路的输出耦合到所述第二位线。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||