| 发明名称 | 制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种在单衬底上形成具有不同金属的栅极结构的方法。薄半导体盖(26)在栅极电介质(24)上被形成，并且被形成图案于第一区域(16)而不是第二区域(18)。然后，金属(30)和第二盖(34)被淀积并且被形成图案出现在第二区域而不是第一区域。淀积例如SiGe的厚的选择性蚀刻层，在第一区域和第二区域形成栅极图案，以及去除选择性蚀刻层。淀积金属层并使之与第一和第二盖发生反应，以形成全硅化物层或全锗化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101263593A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200680033814.9 | 申请日期 | 2006.09.11 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 马克·范达尔;罗伯特·J·P·兰德 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体主体(10、12、14)的第一主要表面上淀积栅极电介质(24)；在所述半导体主体的第一区域(16)中的所述栅极电介质(24)上形成第一半导体盖(26、28)，使栅极电介质(24)暴露在第二区域(18)中；在所述第二区域(18)中暴露出的栅极电介质(24)和所述第一区域(16)中的所述半导体盖(26)上淀积金属层(30)；在所述金属层(30)上淀积第二半导体盖(34)；蚀刻掉所述第一区域(16)中的所述金属层(30)和所述第二半导体盖(34)，留下所述第二区域(18)中的所述金属层(30)和所述第二半导体盖；在所述第一区域(16)和所述第二区域(，18)上淀积选择性蚀刻层(42)；形成至少一个所述选择性蚀刻层(42)、所述金属层(30)以及所述第一半导体盖层(26)和所述第二半导体盖层(34)图案，以在所述第一区域中形成第一栅极图案和在所述第二区域中形成第二栅极图案；选择性地蚀刻掉所述选择性蚀刻层(42)；淀积反应金属(68)；以及使所述反应金属(68)与所述第一半导体盖层(26)和所述第二半导体盖层(34)的全部厚度发生反应。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||