| 发明名称 | 研磨剂、被研磨面的研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中可以高速研磨SiC或者可以在高速研磨SiC的同时抑制绝缘层的二氧化硅的研磨，因而能够获得被高度平坦化了的具有多层结构的半导体集成电路装置的研磨剂。本研磨剂包含磨粒(A)，选自苯并三唑类、1H－四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂(B)，介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60MPa·s的有机溶剂(C)以及水(D)。 | ||
| 申请公布号 | CN101263583A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200680033059.4 | 申请日期 | 2006.08.17 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 竹宫聪 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 刘多益 |
| 主权项 | 1.研磨剂，它是半导体集成电路装置的制造中用于研磨含SiC的被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包含磨粒(A)，选自苯并三唑类、1H-四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂(B)，介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60mPa·s的有机溶剂(C)以及水(D)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||