光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器

摘要

本发明提供一种光电二极管阵列及其制造方法以及放射线检测器，其目的在于防止在封装时因光检测部的损伤而造成杂音的发生。本发明的光电二极管阵列，在n型硅基板(3)的被检测光的入射面侧，以阵列状形成多个光电二极管(4)，且贯通入射面侧和其背面侧的贯通布线(8)针对光电二极管(4)来形成，其中：在其入射面侧，设置覆盖光电二极管(4)的形成区域并且透过被检测光的透明树脂膜(6)，从而作成光电二极管阵列(1)。

主权项

1. 一种光电二极管阵列，其特征在于：具备在被检测光的入射面侧以阵列状形成多个光电二极管的半导体基板，所述半导体基板的贯通所述入射面侧和其背面侧的贯通布线针对所述光电二极管来形成，在所述半导体基板的入射面侧，设置至少覆盖形成有所述光电二极管的区域并且透过所述被检测光的树脂膜，所述树脂膜发挥作为缓冲层的功能，其膜厚为1～50μm，其弹性率为10～12000kg/cm2。