发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一种半导体器件包括基板(1),和形成在基板(1)上的半导体结构体(2)。半导体结构体具有半导体衬底(4)和形成在半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12)。绝缘层(14)围绕着半导体结构体(2)形成在基板(1)上。硬板(15)形成在绝缘层(14)上。互连(19)连接到半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。
申请公布号 CN100418211C 申请公布日期 2008.09.10
申请号 CN200480022204.X 申请日期 2004.12.21
申请人 卡西欧计算机株式会社;CMK株式会社 发明人 定别当裕康
分类号 H01L23/31(2006.01);H01L23/16(2006.01) 主分类号 H01L23/31(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1. 一种半导体器件,包括:基板(1),其具有上表面和下表面;半导体结构体(2),形成在该基板(1)的上表面上,并且具有半导体衬底(4)和形成在该半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12);绝缘层(14),其具有上表面和厚度,并且其形成在该基板(1)的上表面上围绕着该半导体结构体(2);硬板(15),其厚度小于该绝缘层(14)的厚度并且其被掩埋在该绝缘层(14)的上表面中,使得该硬板(15)的上表面与该半导体结构体(2)的上表面和该绝缘层(14)的上表面形成单一平面;上绝缘膜(16),形成在该半导体结构体(2)和该硬板(15)上;以及互连(19),形成在该上绝缘膜(16)上,并连接到该半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。
地址 日本东京都
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