发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件包括基板(1),和形成在基板(1)上的半导体结构体(2)。半导体结构体具有半导体衬底(4)和形成在半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12)。绝缘层(14)围绕着半导体结构体(2)形成在基板(1)上。硬板(15)形成在绝缘层(14)上。互连(19)连接到半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。 |
申请公布号 |
CN100418211C |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
申请号 |
CN200480022204.X |
申请日期 |
2004.12.21 |
申请人 |
卡西欧计算机株式会社;CMK株式会社 |
发明人 |
定别当裕康 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01);H01L23/16(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
1. 一种半导体器件,包括:基板(1),其具有上表面和下表面;半导体结构体(2),形成在该基板(1)的上表面上,并且具有半导体衬底(4)和形成在该半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12);绝缘层(14),其具有上表面和厚度,并且其形成在该基板(1)的上表面上围绕着该半导体结构体(2);硬板(15),其厚度小于该绝缘层(14)的厚度并且其被掩埋在该绝缘层(14)的上表面中,使得该硬板(15)的上表面与该半导体结构体(2)的上表面和该绝缘层(14)的上表面形成单一平面;上绝缘膜(16),形成在该半导体结构体(2)和该硬板(15)上;以及互连(19),形成在该上绝缘膜(16)上,并连接到该半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。 |
地址 |
日本东京都 |