发明名称 Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要 Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben werden offenbart. Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Ausbilden einer Isoliermaterialschicht. Das Verfahren beinhaltet ein Ausbilden einer Grenzflächenschicht, ein Entfernen eines Teilbereichs der Grenzflächenschicht, ein Ausheilen der Grenzflächenschicht und ein Ausbilden eines dielektrischen Materials über der Grenzflächenschicht.
申请公布号 DE102007055880(A1) 申请公布日期 2008.07.17
申请号 DE200710055880 申请日期 2007.12.19
申请人 QIMONDA NORTH AMERICA CORP. 发明人 GOVINDARAJAN, SHRINIVAS
分类号 H01L21/31;H01L21/283;H01L21/316;H01L21/3205;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/423;H01L29/78 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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