| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件及其制造方法。在形成底部电极之后，在其上形成第一铁电膜。然后，使第一铁电膜结晶。随后，在第一铁电膜上形成第二铁电膜。接着，在第二铁电膜上形成顶部电极膜，并且使第二铁电膜结晶，使得能够在保持反向极化电荷在较高水平下的同时减少漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN100403541C | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200510006845.2 | 申请日期 | 2005.01.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中村亘;高井一章 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：形成底部电极膜；在所述底部电极膜上形成非晶态第一铁电膜；使所述第一铁电膜结晶；在所述第一铁电膜上形成非晶态第二铁电膜；在所述第二铁电膜上形成不含Pt的顶部电极膜；以及使所述第二铁电膜结晶。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||