| 发明名称 | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。 | ||
| 申请公布号 | CN100403167C | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN03122138.6 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 加藤宽和;大西廉伸;盐原英志;河村大辅;中村裕子 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
| 主权项 | 1.一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||