发明名称 一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路
摘要 本发明公开了一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路。本发明提供的用于EEPROM的灵敏放大器包括充电控制电路、检测电路和保持整形输出电路;充电控制电路由相同的二个充电控制子电路构成;检测为一个同或门;保持整形输出电路对检测电路的输出进行保持并整形为标准数字电平。由上述的灵敏放大器构成的读电路,包含两个完全对称的第一、第二存储模块,各灵敏放大器的两根位线分别接到第一、第二存储模块的对应位线上。该灵敏放大器电路结构简单,不需要偏置电路,占用面积小,读取速度快,动态功耗低,静态功耗几乎为0;工作电压范围大;由上述的灵敏放大器构成的读电路具有抗器件特性退化,性能稳定的特点。
申请公布号 CN101221814A 申请公布日期 2008.07.16
申请号 CN200810046620.3 申请日期 2008.01.04
申请人 华中科技大学 发明人 邹雪城;刘政林;刘冬生;余琼;谭波;惠雪梅;李玲;刘旭
分类号 G11C16/26(2006.01) 主分类号 G11C16/26(2006.01)
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 曹葆青
主权项 1.一种用于EEPROM的灵敏放大器,其特征在于:它包括充电控制电路(1)、检测电路(2)和保持整形输出电路(3);充电控制电路(1)用于控制对位线电容的充电和泻放,它由相同的二个充电控制子电路(11、12)构成,二个充电控制子电路(11、12)受控于充电控制端(EN),并分别对两根位线(BLL、BLR)进行充放电;检测电路(2)用于检测上述两根位线(BLL、BLR)充电时间的差异,为一个同或门,两根位线(BLL、BLR)的电压作为同或门的输入;其输出连接到保持整形输出电路(3)中PMOS管P9的栅极;保持整形输出电路(3)包括PMOS管P9、P10,NMOS管N9、N10和电容C1;PMOS管P9的栅极接检测电路的输出端,NMOS管N9的栅极接充电控制端(EN),其公共漏极接电容C1的上极板;电容C1由NMOS管接成电容形式构成,上极板为NMOS管的栅极,与PMOS管P9和NMOS管N9的公共漏极和下级反相器的输入连接,下极板与地连接;PMOS管P10和NMOS管N10组成反相器结构,其公共栅极作为输入端接电容C1的上极板,其公共漏极作为灵敏放大器的输出端。
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