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发明名称 Method of manufacturing a self-aligned dual-gates transistor through gate pattern reduction
摘要
申请公布号 EP1788635(B1) 申请公布日期 2008.07.16
申请号 EP20060124271 申请日期 2006.11.17
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 LICITRA, CHRISTOPHE;VINET, MAUD
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
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